| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置具备含有p型杂质和n型杂质的p型SiC的杂质区。并且，当将p型杂质记为元素A、将n型杂质记为元素D时，元素A与元素D的组合为Al（铝）、Ga（镓）或In（铟）与N（氮）的组合以及B（硼）与P（磷）的组合中的至少一种组合，构成上述组合的元素D的浓度与元素A的浓度之比大于0.33且小于0.995，构成上述组合的元素A的浓度为1×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>以上且1×10<sup>22</sup>cm<sup>-3</sup>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104064588A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201410077098.0 | 申请日期 | 2014.03.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 清水达雄;四户孝;西尾让司;太田千春 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王灵菇;白丽 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备p型SiC区，所述p型SiC区含有p型杂质和n型杂质，当将所述p型杂质记为元素A、将所述ｎ型杂质记为元素D时，所述元素A与所述元素D的组合为Al（铝）、Ga（镓）或In（铟）与N（氮）的组合以及B（硼）与P（磷）的组合中的至少一种组合，构成所述组合的所述元素D的浓度与所述元素A的浓度之比大于0.33且小于0.995，构成所述组合的所述元素A的浓度为1×10<sup>18</sup>cm<sup>‑3</sup>以上且1×10<sup>22</sup>cm<sup>‑3</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||