一种垂直结构的LED芯片的制备方法

摘要

本发明提供一种垂直结构的LED芯片的制备方法，包括将外延层邦定在高阻硅基板上，去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GaN层，刻蚀所述暴露的GaN层的部分区域至暴露出金属层，该方法还包括在金属层上蒸镀P电极金属形成P电极，在N型GaN层上蒸镀N电极金属形成N电极。本发明通过将外延层邦定在高阻硅基板上，使得芯片的P电极与芯片的底部绝缘。采用本发明的方法制备的LED芯片既保留了垂直结构芯片的光电特点，又能解决一般垂直芯片在封装打线进行串联连接困难的问题。

主权项

一种垂直结构的LED芯片的制备方法，包括：在生长衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，形成外延层；其特征在于，将所述外延层邦定在高阻硅基板上，去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GaN层；刻蚀所述暴露的GaN层的部分区域至暴露出金属层；在所述金属层上蒸镀P电极金属形成P电极，在N型GaN层上蒸镀N电极金属形成N电极。