非挥发性存储器及其制作方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器及其制作方法。此非挥发性存储器包括基底、多个字符线、多个选择线以及掺杂区。基底具有存储单元区与二个选择线区。选择线区分别位于存储单元区的相对两侧。字符线设置于存储单元区中。选择线设置于选择线区中。每一字符线的线宽与每一选择线的线宽相同。相邻的字符线之间的间距、相邻的选择线之间的间距以及相邻的选择线与字符线之间的间距相同。掺杂区位于每一字符线两侧以及每一选择线区的两侧的基底中。

主权项

一种非挥发性存储器的制作方法，包括：提供基底，所述基底具有存储单元区与二个选择线区，所述选择线区分别位于所述存储单元区的相对两侧；于所述基底上依序形成第一介电层、电荷存储层以及第二介电层；至少移除所述选择线区中的所述第二介电层；于所述基底上形成导体层；进行图案化制作工艺，图案化所述第一介电层、所述电荷存储层、所述第二介电层以及所述导体层，以于所述存储单元区中定义出多个字符线，以及于所述选择线区中定义出多个选择线，其中每一所述字符线的线宽与每一所述选择线的线宽相同，且相邻的所述字符线之间的间距、相邻的所述选择线之间的间距以及相邻的所述选择线与所述字符线之间的间距相同；以及于每一所述字符线的两侧以及于每一所述选择线区的两侧的所述基底中形成多个掺杂区。