| 发明名称 | MEMS器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件的制造方法包括步骤：提供第一半导体基底；在第一半导体基底上形成图案层和嵌在图案层内的牺牲层；在图案层和牺牲层上键合第二半导体基底；研磨第二半导体基底到一定厚度；利用第二半导体基底形成悬浮的微机械结构；在第二半导体基底上方形成封装膜层，去除牺牲层，将所述微机械结构封闭在空腔内，本发明的MEMS器件的制造方法，使得MEMS结构的体积更小，精确度更高。 | ||
| 申请公布号 | CN104058367A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201310095737.1 | 申请日期 | 2013.03.22 |
| 申请人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 发明人 | 毛剑宏;唐德明 |
| 分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供第一半导体基底；在第一半导体基底上形成图案层和嵌在图案层内的牺牲层；在图案层和牺牲层上键合第二半导体基底；研磨第二半导体基底到一定厚度；利用第二半导体基底形成悬浮的微机械结构；在第二半导体基底上方形成封装膜层，去除牺牲层，将所述微机械结构封闭在空腔内。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||