| 发明名称 | 一种氮化镓基发光二极管外延片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延片，它属于发光二极管技术领域。它包括衬底，以及从下至上依次外延生长于所述衬底之上的低温缓冲层、GaN非掺杂层、n/n+超晶格层、N型GaN层、多量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、高温P型GaN层和P型接触层，所述n/n+超晶格层由从下到上顺次叠加10到50次的若干单元组成。本实用新型用于制作发光二极管，它在外延结构uGaN与nGaN之间引入一种优化的n/n+超晶格结构层作为过渡层，其作用为活化电子，扩散电流密度，阻挡晶格失配引起的缺陷，并且能进一步提高阻挡电子泄漏的效果，使得大电流密度注入下InGaN/GaN基发光二极管的发光效率得到很大提升。 | ||
| 申请公布号 | CN203850331U | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201420218452.2 | 申请日期 | 2014.04.30 |
| 申请人 | 同辉电子科技股份有限公司 | 发明人 | 孟彦超;潘鹏;王爱民;王波;白欣娇;范巧温 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于：它包括衬底（1），以及从下至上依次外延生长于所述衬底之上的低温缓冲层（2）、GaN非掺杂层（3）、n/n+超晶格层（4）、N型GaN层（5）、多量子阱层（6）、发光量子阱层（7）、低温P型GaN层（8）、高温P型GaN层（9）和P型接触层（10），所述n/n+超晶格层（4）由从下到上顺次叠加10到50次的若干单元组成。 | ||
| 地址 | 050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 | ||