发明名称 |
阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法,该制造方法包括:提供一基板;形成多个像素结构在显示区域,至少一个像素结构的制造方法包括:在基板上依次形成图案化第一金属层、栅极绝缘层以及图案化第二金属层,其中,图案化第一金属层包括栅线和与栅线绝缘设置的浮动金属图案,图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极,数据线经由栅极绝缘层与浮动金属图案对应设置。本发明的阵列基板能够增大对由干刻电浆轰击第二金属层所产生的静电进行存储的电容,防止由电容存储能力不足而导致静电击穿。 |
申请公布号 |
CN104064516A |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201410342978.6 |
申请日期 |
2014.07.17 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
柴立 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
朱绘;张文娟 |
主权项 |
一种阵列基板的制造方法,包括:提供一基板,所述基板上具有显示区域;形成多个像素结构在所述显示区域,至少一个像素结构的制造方法包括:在所述基板上依次形成图案化第一金属层、栅极绝缘层以及图案化第二金属层,其中,所述图案化第一金属层包括栅线和与所述栅线绝缘设置的浮动金属图案,所述图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极,所述数据线经由所述栅极绝缘层与所述浮动金属图案对应设置;在所述图案化第二金属层上形成图案化保护层,所述图案化保护层上具有露出部分漏极的过孔;在所述图案化保护层上形成图案化导电层而作为像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |