| 发明名称 | 一种掺杂图案的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂图案的制作方法。该方法包含有：提供一基底，该基底内形成有多个浅沟隔离，且这些浅沟隔离定义并电性隔离多个具有相同电性的有源区域；在该基底上形成一图案化光阻，且该图案化光阻包含多个暴露区，暴露出这些有源区域与相邻有源区域间的这些浅沟隔离；以及进行一离子注入工艺，透过该图案化光阻在该有源区域内形成多个掺杂图案。 | ||
| 申请公布号 | CN102194743B | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201010135822.2 | 申请日期 | 2010.03.16 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 曾焕廷;黄俊宪;黄宏钦;李振伟 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;G03F1/76(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种掺杂图案的制作方法，包含有：提供一基底，利用一浅沟隔离定义图案在该基底内形成多个浅沟隔离，且这些浅沟隔离定义并电性隔离多个具有相同电性的有源区域；提供一预定掺杂图案；比对该预定掺杂图案与该浅沟隔离定义图案以形成一校正掺杂图案；转移该校正掺杂图案而在该基底上形成一图案化光阻，且该图案化光阻包含多个暴露区，暴露出这些有源区域与相邻有源区域间的这些浅沟隔离，其中至少两个相邻的有源区域具有相同电性，且这两个相邻的有源区域彼此电性隔离；以及进行一离子注入工艺，透过该图案化光阻在该有源区域内形成多个掺杂图案。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||