一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法

摘要

本发明公开了一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法。本发明的控制方法在神经元电路里，阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连，组成并联结构，并分别连接于前神经元和后神经元，在MOS晶体管的栅端加上栅电压。本发明通过阻变忆阻器与MOS晶体管并联，在学态，通过调节MOS晶体管的栅电压将阻变忆阻器设置到预定阻值；在计算态，通过栅电压控制MOS晶体管的沟道电阻从而精确控制阻变忆阻器和MOS晶体管的并联结构的阻值，从而快速精确地对并联结构的阻值进行调节。MOS晶体管的面积可以很小，有利于大规模集成，同时，控制MOS晶体管的栅电压能够实现阻变忆阻器的阻值可变并且可以精确控制阻值浮动。

主权项

一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法，所述神经元电路包括设置突触连接的权重的学习态和进行电路计算的计算态，其特征在于，在神经元电路里，阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连，组成并联结构，并分别连接于前神经元和后神经元，在MOS晶体管的栅端加上栅电压作为控制端；在学习态，在MOS晶体管的栅端加上需要的栅电压，漏端接来自前神经元的学习输入信号，源端通过后神经元接地，当漏端接入的学习输入信号一定时，MOS晶体管加上栅电压将阻变忆阻器设置到预定阻值。