半导体致冷片单电源电流换向电路

摘要

本实用新型提供了一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、高耐压的MOS管（2个P型MOS管、2个N型MOS管）组成桥式控致电路，接入半导体致冷片通过控致其中的一对N、P组合MOS管导通、令一对组合MOS管关闭来达到电流换向的目的。将两个P型MOS管S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极（+），Q2的D级接半导体致冷片的负极（-）；将Q3的D级接体致冷片的正极（+），Q4的D级接体致冷片的负极（-），将Q3、Q4的S级接地GND。当Q1和Q4导通、Q2、Q3截止时通过半导体致冷片的电流为正向电流，当Q2和Q3导通、Q1、Q4截止时通过半导体致冷片的电流为反向电流，同时应避免Q1、Q3或Q2、Q4同时导通。通过添加电路MOS管驱动等外围电路并实际应用测试，本新型实用电路可有效的控致半导体致冷片电路的电流换向。

主权项

1.一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、高耐压的MOS管组成桥式控致电路，接入半导体致冷片通过控致其中的一对N、P组合MOS管导通、令一对组合MOS管关闭来达到电流换向的目的，所述MOS管包括2个P型MOS管、2个N型MOS管，将两个P型MOS管Q1、Q2的S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极，Q2的D级接半导体致冷片的负极；将另外两个N型MOS管Q3、Q4的S级接GND，将Q3的D级接体致冷片的正极，Q4的D级接体致冷片的负极，构成半导体致冷片电流换向电路。