| 发明名称 | 制造器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于形成MRAM(磁阻随机访问存储器)设备的方法。下电极组件被形成。磁结组件被形成，包括在下电极组件上沉积磁结组件层、在磁结组件层上形成图案化掩模、蚀刻磁结组件层以形成具有间隙的磁结组件、间隙填充磁结组件以及使所述磁结组件平整化。上电极组件被形成。 | ||
| 申请公布号 | CN104067343A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201280061660.X | 申请日期 | 2012.12.18 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 乔伊迪普·古哈 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种用于形成MRAM(磁阻随机访问存储器)设备的方法，其包括：形成下电极组件；形成磁结组件；以及形成上电极组件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||