一种纳米电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米电容器的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett（LB）膜方法在基底上制备高密度中空纳米粒子薄膜作为电容器一个电极，然后在中空纳米粒子表面采用原子沉积（ALD）方法沉积介电纳米薄膜作为电容器介质材料，最后在介电薄膜上通过ALD方法沉积金属纳米薄膜作为电容器另一个电极，形成一种金属-绝缘体-金属的纳米电容器结构。该方法所制备的纳米电容器及阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。

主权项

一种纳米电容器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：①将Au中空纳米粒子分散于正丁醇中，Au纳米粒子的浓度为0.5～0.8mg/ml，形成用于铺展用的纳米粒子分散液；②采用微量进样器抽取200 μl ①获得的溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面，待正丁醇挥发30 min后开始压膜，此时在气液界面已形成Au中空纳米粒子膜；④控制LB膜槽滑障以1.5～3.0mm/min的速度压缩单体单分子膜到膜压30～32 mN/m，并采用LB膜垂直成膜的方式将Au中空纳米粒子膜转移至ITO基片上，成膜速率为0.3～0.5mm/min，作为电容器的一个电极；⑤将沉积了Au中空纳米粒子LB膜的基片放入原子层沉积设备腔体中，在纳米粒子表面沉积Al₂O₃介电纳米薄膜作为电容器的介质材料； ⑥采用原子层沉积方法在Al₂O₃介电纳米薄膜表面沉积TiN纳米薄膜作为电容器另外一个电极；由①～⑥步骤获得了一种金属‑金属氧化物‑金属的纳米电容器结构。