一种发光二极管外延材料结构

摘要

本发明公开一种LED外延材料结构，该结构包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括第一耦合阱和第二耦合阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱均为窄阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱之间有共同的窄垒以实现电子和空穴的隧穿耦合。本发明采用的宽窄阱复合结构同时实现了俘获大量载流子和辐射复合效率高两种效果，能够显著提高LED的发光效率。

主权项

一种发光二极管(LED)外延材料结构，其特征在于，所述LED外延材料结构为四元系AlGaInP基LED外延材料结构，依次包括：衬底、GaAs缓冲层、分布式布拉格反射层、N型电子注入层、多量子阱有源层、P型空穴注入层和窗口层，所述多量子阱有源层包括一个或多个周期性结构，所述周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括第一耦合阱和第二耦合阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱均为窄阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱之间有共同的窄垒以实现电子和空穴的隧穿耦合；所述宽垒的材料为(Al_xGa_1‑x)_1‑yIn_yP，所述窄垒的材料为(Al_x1Ga_1‑x1)_1‑y1In_y1P，所述第一耦合阱和第二耦合阱的材料为(Al_x2Ga_1‑x2)_1‑y2In_y2P，其中0.5≤x≤1，0.4≤y≤0.6，0.5≤x1≤1，0.4≤y1≤0.6,0≤x2≤0.4，0.4≤y2≤0.6。