一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池

摘要

本发明涉及半导体技术和光伏领域，特指一种新型金属-绝缘体层-半导体太阳电池。从顶层至底层依次为：Ag网格栅线、减反射层、金属薄膜、Ga₂O₃绝缘层、p型硅片、Al背面场；对于MIS太阳电池，少子直接随道电流较大，用Ga₂O₃薄膜作为绝缘层即可抑制多子电流，较好改善光伏特性，以金属薄膜费米为能级零点，以金属薄膜半导体的电流方向为正向，金属薄膜与绝缘层界面使势垒高度可随金属功函数变化，进而提高势垒高度增加电荷聚集量，提高电池效率。

主权项

一种金属‑绝缘体层‑半导体太阳能电池，其特征在于：所述绝缘体层为Ga₂O₃绝缘层。