| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN104064593A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201310731532.8 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 齐藤泰伸;藤本英俊;吉冈启;内原士;安本恭章;梁濑直子;小野祐 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 杨谦;胡建新 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在上述第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与上述漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第一栅极电极电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||