发明名称 一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器
摘要 本发明公开了一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器,包括基底,其特征在于所述基底上由下而上依次设置下金属膜层、下电介质隔层、上金属膜层、上电介质隔层和金属光栅层,还包括上、下金属膜层电极导线,分别连接至上、下金属膜层上作为探测器的输出端口。因本设计中作为核心的金属光栅层会带来光栅层的局域陷光效应,以及上、下金属膜层光吸收的明显差异导致的电子流隧穿效应,故本发明的这种光电探测器同时具备体积小(纳米量级)、耗材少、结构相对简单、易于加工、光谱响应宽、探测角度大等特点。
申请公布号 CN104064620A 申请公布日期 2014.09.24
申请号 CN201410243025.4 申请日期 2014.06.03
申请人 苏州大学 发明人 李孝峰;吴凯;吴绍龙;杨阵海;李珂
分类号 H01L31/09(2006.01)I 主分类号 H01L31/09(2006.01)I
代理机构 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人 伊美年
主权项 一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器,包括基底(11),其特征在于所述基底(11)上由下而上依次设置下金属膜层(12)、下电介质隔层(13)、上金属膜层(14)、上电介质隔层(15)和金属光栅层(16),还包括上、下金属膜层电极导线(102、101),分别连接至上、下金属膜层(14、12)上作为探测器的输出端口。
地址 215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号