| 发明名称 | 多晶硅棒的制造方法 | ||
| 摘要 | 在钟形玻璃罩(1)内配置的2对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换通过开关(S1～S3)来进行。该电路(16)中，从供给低频电流的一个低频电源(15L)、或供给具有2kHz以上的频率的高频电流的一个高频电源(15H)供给电流。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)而将2对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换至高频电源(15H)侧，则可以对被串联连结的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流来进行通电加热。 | ||
| 申请公布号 | CN104066679A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201380006296.1 | 申请日期 | 2013.02.19 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 祢津茂义;黑泽靖志;星野成大 |
| 分类号 | C01B33/035(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/035(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 金龙河;穆德骏 |
| 主权项 | 一种多晶硅棒的制造方法，其为在反应器中配置m根(m为2以上的整数)硅芯线，向所述反应炉内供给含有硅烷化合物的原料气体，通过CVD法使多晶硅在由通电加热后的所述硅芯线上析出而制造多晶硅棒的方法，其特征在于，所述方法具备对所述多晶硅棒通电具有2kHz以上的频率的电流来进行加热的高频电流通电工序，该高频电流通电工序包括如下工序：由供给单一高频电流的一个高频电源，对通过所述多晶硅的析出而直径达到80mm以上的预定值D<sub>0</sub>的n根(n为2以上且m以下的整数)串联连接的多晶硅棒供给高频电流，以流过所述串联连接的n根多晶硅棒时的趋肤深度为13.8mm以上且80.0mm以下的范围的所期望的值的方式，设定所述高频电流的频率。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||