| 发明名称 | 具有静电放电(ESD)保护的电源 | ||
| 摘要 | 一种装置包括：第一PFET(M1)(210)，其包括第一本征体二极管(215)；静电放电(ESD)子电路(ESD1)(222)，其耦合于第一PFET(210)的源极；反向偏置电压元件，例如齐纳二极管(240)，其阳极耦合于第一PFET(210)的栅极(VG)；第二PFET(M2)(250)，其具有与齐纳二极管(240)的阴极耦合的源极；电容器(C1)(270)，其耦合于第二PFET(250)的栅极；第一电阻器(R1)(260)，其耦合于第二PFET(250)的栅极。该装置可以同时保护正向和负向静电瞬态放电事件。 | ||
| 申请公布号 | CN104067390A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201380006356.X | 申请日期 | 2013.01.23 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | 王亮;张卫表;D·王;J·E·孔兹 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种装置，其包含：第一p型场效应晶体管即PFET，其包括第一本征体二极管；静电放电子电路即ESD子电路，其耦合于所述第一PFET的源极；反向偏置电压元件，其阳极耦合于所述第一PFET的栅极；第二PFET，其具有耦合于所述反向偏置电压元件的阴极的源极；电容器，其耦合于所述第二PFET的栅极；以及第一电阻器，其耦合于所述第二PFET的所述栅极。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||