| 发明名称 | 应用于无Y电容变压器的磁芯包和一种变压器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种应用于无Y电容变压器的磁芯包，包括用于绕制绕组的骨架，骨架包括用于置放磁芯的绕制轴和布置在绕制轴两端的第一侧和第二侧。从骨架的绕制轴向外依次绕制在骨架上的初级绕组、偏置层绕组、屏蔽层绕组和次级绕组；在初级绕组和偏置层绕组之间、屏蔽层绕组和次级绕组之间以及次级绕组的外部还绕制有绝缘层；其中，偏置层绕组N2的宽度大于屏蔽层绕组N3的宽度，使得初级绕组和次级绕组之间存在空隙，以降低初级绕组和次级绕组之间的耦合效果，从而能够达到降低初级绕组和次级绕组共模电流的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN203850133U | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201420279272.5 | 申请日期 | 2014.05.28 |
| 申请人 | 深圳天珑无线科技有限公司 | 发明人 | 李城铭;倪漫利 |
| 分类号 | H01F27/30(2006.01)I;H01F27/36(2006.01)I | 主分类号 | H01F27/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 主权项 | 应用于无Y电容变压器的磁芯包，包括用于绕制绕组的骨架(1)；所述骨架(1)包括用于置放磁芯的绕制轴(11)和布置在绕制轴(11)两端的第一侧(A)和第二侧(B)；从骨架(1)的绕制轴向外依次绕制在骨架(1)上的初级绕组(N1)、偏置层绕组(N2)、屏蔽层绕组(N3)和次级绕组(N4)；在初级绕组(N1)和偏置层绕组(N2)之间、屏蔽层绕组(N3)和次级绕组(N4)之间以及次级绕组(N4)的外部还绕制有绝缘层(3)；其特征在于，所述偏置层绕组(N2)的宽度大于所述屏蔽层绕组(N3)的宽度。 | ||
| 地址 | 518053 广东省深圳市南山区华侨城东部工业区H3栋501B | ||