半导体装置的检查方法以及采用该方法的半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体装置的检查方法中，预先测定与检查对象种类相同的半导体装置的端子引线和探针之间的接触电阻，对于具有接触电阻值大于在电特性试验中被视为不会发生误判的通常值的该接触电阻值的半导体装置，预先将为了使该较大的接触电阻值下降到通常值而所需的电能作为基准值而求出，利用与测定所述接触电阻相同的方法，测定作为检查对象的半导体装置的接触电阻，在显示为该接触电阻值大于所述通常值的情况下，在施加作为所述基准值的电能之后，再次测定接触电阻，确认接触电阻成为通常值并进行所需要的电特性试验。

主权项

一种半导体装置的检查方法，使用主探针和辅助探针对具有多个信号端子的半导体装置的电特性进行测定，所述主探针用于在进行所述测定时向所述半导体装置施加电压电流，所述辅助探针用于在进行所述测定时对施加到所述半导体装置的电压电流进行测定，其特征在于，包括：第一工序，在所述第一工序中，使所述主探针和所述辅助探针与所述半导体装置的一个所述信号端子相接触，且对一个所述信号端子与所述主探针及所述辅助探针之间的接触电阻进行测定，将测定得到的该接触电阻与第一基准值阈值相比较，当测定得到的所述接触电阻在所述第一基准值阈值以内时，前进到第二工序，当测定得到的所述接触电阻不在所述第一基准值阈值以内时，前进到第三工序；第二工序，在所述第二工序中，对所述半导体装置的电特性进行测定；第三工序，在所述第三工序中，对一个所述信号端子与所述主探针及所述辅助探针之间的接触电阻进行测定，将测定得到的该接触电阻与第二基准值阈值相比较，当所述第三工序中测定得到的接触电阻在所述第二基准值阈值以内时，前进到第四工序；第四工序，在所述第四工序中，根据在所述第一工序中测定得到的接触电阻，确定经由所述主探针和所述辅助探针向一个所述信号端子施加的基准电能，前进到第五工序；第五工序，在所述第五工序中，经由所述主探针和所述辅助探针将由所述第四工序所确定的基准电能提供给一个所述信号端子，前进到第六工序；以及第六工序，在所述第六工序中，对一个所述信号端子与所述主探针及所述辅助探针之间的接触电阻进行测定，将测定得到的该接触电阻与第一基准值阈值相比较，当测定得到的接触电阻在所述第一基准值阈值以内时，前进到第二工序。