发明名称 |
基于金纳米粒子的印迹传感器及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种基于金纳米粒子的印迹传感器及其的制备方法和应用,所述方法包括以下工序:1)将目标电极置于包含Na<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>和HAuCl<sub>4</sub>的第一混合溶液中进行电化学沉积以制备金纳米修饰电极的工序;2)在缓冲溶液的存在下,将所述的金纳米修饰电极置于包含邻苯二胺和2,4-二氯苯氧乙酸的第二混合溶液中采用循环伏安法进行扫描以制备聚合物膜修饰电极的工序;3)将所述的聚合物膜修饰电极置于乙醇或乙醇溶液中进行洗脱以制备基于金纳米粒子的印迹传感器的工序;其中,所述目标电极为玻碳电极或ITO电极。该印迹传感器能够灵敏地检测2,4-二氯苯氧乙酸。 |
申请公布号 |
CN104062331A |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201410284615.1 |
申请日期 |
2014.06.23 |
申请人 |
安徽师范大学 |
发明人 |
赵喆;陶溪;鲁菲菲;阚显文 |
分类号 |
G01N27/26(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
孙向民;董彬 |
主权项 |
一种基于金纳米粒子的印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下工序:1)将目标电极置于包含Na<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>和HAuCl<sub>4</sub>的第一混合溶液中进行电化学沉积以制备金纳米修饰电极的工序;2)在缓冲溶液的存在下,将所述的金纳米修饰电极置于包含邻苯二胺和2,4‑二氯苯氧乙酸的第二混合溶液中采用循环伏安法进行扫描以制备聚合物膜修饰电极的工序;3)将所述的聚合物膜修饰电极置于乙醇或乙醇溶液中进行洗脱以制备基于金纳米粒子的印迹传感器的工序;其中,所述目标电极为玻碳电极或ITO电极。 |
地址 |
241002 安徽省芜湖市弋江区九华南路189号科技服务部 |