| 发明名称 | 半导体光检测元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。 | ||
| 申请公布号 | CN104064621A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201410320086.6 | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 山村和久;坂本明;永野辉昌;宫崎康人;米田康人;铃木久则;村松雅治 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 杨琦 |
| 主权项 | 一种半导体光检测元件，其特征在于，包括：硅基板，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面及第2主面，并且在所述第1主面侧形成有第2导电类型的半导体区域；以及传输电极部，设置于所述硅基板的所述第1主面上，且传输所产生的电荷；在所述硅基板上，在所述第2主面侧形成有具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层，并且在所述第2主面上的至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的区域形成有不规则的凹凸，所述硅基板的所述第2主面上的形成有不规则的所述凹凸的区域光学性地露出，所述半导体光检测元件是表面入射型，所述第1主面被作为光入射面，从所述第1主面入射的光在所述硅基板内行进，所述第1主面与在至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的所述区域形成有不规则的所述凹凸的所述第2主面相对。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||