发明名称 |
用于制造外延半导体晶片的方法 |
摘要 |
本发明涉及用于制造经外延涂布的半导体晶片的方法,其中提供一个至少在其正面上经抛光的半导体晶片,放在单晶片外延反应器中的基座上,并通过利用化学气相沉积于1000至1200℃的温度下在其经抛光的正面上施加外延层而进行涂布,其特征在于,在实施外延涂布之后在1200℃至900℃的温度范围内以小于5℃/s的速率冷却该半导体晶片。此外,在另一个用于制造经外延涂布的半导体晶片的方法,在实施外延涂布之后在沉积温度下抬起该半导体晶片1至60秒,以确保由沉积的半导体材料在基座与晶片之间产生的连接断开,然后冷却该晶片。 |
申请公布号 |
CN101575701B |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN200910139123.2 |
申请日期 |
2009.05.07 |
申请人 |
硅电子股份公司 |
发明人 |
R·绍尔;C·哈格尔 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
过晓东 |
主权项 |
用于制造经外延涂布的半导体晶片的方法,其中提供一个至少在其正面上经抛光的半导体晶片,放在单晶片外延反应器中的基座上,并利用化学气相沉积于1000至1200℃的温度下在其经抛光的正面上施加外延层,由此进行涂布,其特征在于,在实施外延涂布之后在1200℃至900℃的温度范围内以小于5℃/s的速率冷却该半导体晶片,在达到900℃的温度之后,以5℃/s或更高的速率冷却所述半导体晶片。 |
地址 |
德国慕尼黑 |