III族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明的目的是改善多量子阱结构的III族氮化物基化合物半导体发光器件的光提取效率。所述器件包括多量子阱结构，所述多量子阱结构包括阱层，其包括组成中至少具有In的半导体；保护层，其包括组成中至少具有Al和Ga的半导体，其带隙大于所述阱层的带隙，并且其接触并形成在所述阱层的正电极侧上。所述器件还包括势垒层，其带隙大于所述阱层的带隙并且小于所述保护层的带隙，并且其接触并形成在所述保护层的正电极侧上；和所述阱层、所述保护层和所述势垒层的周期性结构。

主权项

一种具有多量子阱结构的III族氮化物基化合物半导体发光器件，所述多量子阱结构包括：阱层，其包括组成中至少具有In的半导体；第一保护层，其带隙大于所述阱层的带隙，并且其形成在所述阱层的正电极侧之上；第二保护层，其包括组成中至少具有Al的半导体，所述第二保护层的带隙大于所述第一保护层的带隙，并且所述第二保护层形成在所述第一保护层的正电极侧之上；势垒层，其带隙大于所述第一保护层的带隙并且小于所述第二保护层的带隙，并且其形成在所述第二保护层的正电极侧之上；和所述阱层、所述第一保护层、所述第二保护层和所述势垒层的周期性结构，其中所述第一保护层的厚度等于或大于并且小于或等于，所述第二保护层的厚度等于或大于并且小于或等于，所述第一保护层和所述第二保护层的厚度之和小于或等于。