发明名称 | 外延GaN的PIN结构α辐照电池及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种外延GaN的PIN结构α辐照电池及其制备方法,主要解决当前α辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是:在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂SiC外延层和P型高掺杂GaN外延层;再在P型高掺杂GaN外延层上淀积P型Ti/Au欧姆接触电极,在SiC衬底未外延背面淀积Ni欧姆接触电极;然后在P型Ti/Au电极上光刻沟槽窗口,并刻蚀沟槽;最后在沟槽中放置α放射源,得到外延GaN的PIN结构α辐照电池。本发明制作出的电池具有放射源与半导体接触面积大,核原料利用率及能量收集率高,电池输出电流和电压大的优点,可为微小电路持久供电,或在需长期供电但无人看守的场合下供电。 | ||
申请公布号 | CN104064245A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
申请号 | CN201410300662.0 | 申请日期 | 2014.06.29 |
申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郭辉;赵亚秋;王悦湖;宋庆文;张玉明 |
分类号 | G21H1/06(2006.01)I | 主分类号 | G21H1/06(2006.01)I |
代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
主权项 | 一种外延GaN的PIN结构α辐照电池,包括:PIN结和α放射源,PIN结自下而上依次为,N型欧姆接触电极(5)、N型高掺杂4H‑SiC衬底(1)、N型低掺杂SiC外延层(2)、P型高掺杂GaN外延层(3)和P型欧姆接触电极(4),其特征在于:所述PIN结中设有至少两个沟槽(6);所述α放射源(7)放置在沟槽(6)内,以实现对高能α粒子的充分利用。 | ||
地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 |