发明名称 |
一种硫化亚锡太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种硫化亚锡太阳能电池及其制备方法,硫化亚锡太阳能电池具有玻璃基片,所述的玻璃基片制备有P电极与N电极,P电极与N电极呈插指状,P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜,P型硫化亚锡薄膜厚度为1.5~3um,所述的P型硫化亚锡薄膜与N电极非接触,P型硫化亚锡薄膜、N电极表面、P型硫化亚锡薄膜和N电极之外的间隙完全覆盖有硫化锌薄膜,硫化锌薄膜超出P型硫化亚锡薄膜的厚度为0.5~1um。采用本发明结构的硫化亚锡太阳能电池,增加了太阳能电池的光吸收面积,电池效率得到提高。另外,减少了透明导电层的制作过程,电池的制造成本得到降低。 |
申请公布号 |
CN102751340B |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201210205606.X |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
柳伟 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种硫化亚锡太阳能电池,其特征在于:具有玻璃基片,所述的玻璃基片上制备有P电极与N电极,所述的P电极与N电极呈插指状,P电极栅线宽度550~650um,N电极栅线宽度150~250um,P电极与N电极之间的电极间距为1~2mm,P电极与N电极的厚度为0.5~1.5um,所述的P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜,P型硫化亚锡薄膜厚度为1.5~3um,所述的P型硫化亚锡薄膜与N电极非接触,硫化锌薄膜完全覆盖所述的P型硫化亚锡薄膜表面、N电极表面、以及P型硫化亚锡薄膜和N电极之外的间隙,所述的硫化锌薄膜超出P型硫化亚锡薄膜的厚度为0.5~1um,所述的硫化锌薄膜上制备有氟化镁薄膜,所述的氟化镁薄膜的厚度为0.5~1.5um。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |