发明名称 |
硼掺杂直拉硅单晶p/p<sup>+</sup>外延片铜沾污后获得洁净区的方法 |
摘要 |
硼掺杂直拉硅单晶p/p<sup>+</sup>外延片铜沾污后获得洁净区的方法,涉及硅单晶p/p<sup>+</sup>外延片。1)准备3组样品,将第1组样品浸入CuCl<sub>2</sub>溶液中进行铜沾污,然后分别在1100~1300℃N<sub>2</sub>,O<sub>2</sub>和Ar气氛下热处理,将第2、3组样品直接分别在1100~1300℃N<sub>2</sub>,O<sub>2</sub>和Ar气氛下热处理;2)将步骤1)热处理过的第2组样品进行铜沾污,然后在600~800℃下保温;将步骤1)热处理过的第1,3组样品直接在600~800℃下保温;3)将步骤2)处理过的第3组样品进行铜沾污,然后在900~1100℃下保温;将步骤2)处理过的第1,2组样品直接在900~1100℃下保温。 |
申请公布号 |
CN104060327A |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201410305340.5 |
申请日期 |
2014.06.30 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
徐进;谢婷婷;吕耀朝;吉川 |
分类号 |
C30B33/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/00(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
马应森;戴深峻 |
主权项 |
硼掺杂直拉硅单晶p/p<sup>+</sup>外延片铜沾污后获得洁净区的方法,其特征在于包括以下步骤:1)准备3组样品,将第1组样品浸入CuCl<sub>2</sub>溶液中进行铜沾污,然后分别在1100~1300℃N<sub>2</sub>,O<sub>2</sub>和Ar气氛下热处理60~90s,将第2、3组样品直接分别在1100~1300℃N<sub>2</sub>,O<sub>2</sub>和Ar气氛下热处理60~90s;2)将步骤1)热处理过的第2组样品进行铜沾污,然后在600~800℃下保温6~8h;将步骤1)热处理过的第1,3组样品直接在600~800℃下保温6~8h;3)将步骤2)处理过的第3组样品进行铜沾污,然后在900~1100℃下保温12~16h;将步骤2)处理过的第1,2组样品直接在900~1100℃下保温12~16h,实现硼掺杂直拉硅单晶p/p<sup>+</sup>外延片铜沾污后获得洁净区。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |