| 发明名称 | 半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置 | ||
| 摘要 | 为了抑制半导体装置(10)的导通损耗和恢复损耗，半导体装置(10)设置有作为半导体基板的n型漂移层(11)、在半导体基板的表面设置的作为阳极区域的p型区域(12)以及n型区域(13)、在半导体基板的背面设置的作为阴极区域的高浓度n型区域(15)、以及阳极电极(1)。在该半导体基板的表面，具备p型区域(12)与n型区域(13)相邻的结构，p型区域(12)与阳极电极(1)相连接，n型区域(13)经由开关(14)与阳极电极(1)相连接。在该开关(14)的控制端子，连接有控制部(40)。在半导体装置(10)的导通状态下，控制部(40)将高频脉冲输出到开关(14)的控制端子，使开关(14)接通/断开。 | ||
| 申请公布号 | CN104067394A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201280068033.9 | 申请日期 | 2012.01.26 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 桥本贵之;增永昌弘 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王亚爱 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：第1导电型半导体基板；阳极区域，其设置于所述半导体基板的第1表面；第1导电型阴极区域，其设置于所述半导体基板的第2表面；和阳极电极，所述半导体装置的特征在于，在所述第1表面，具备第1导电型阳极区域与第2导电型阳极区域相邻的结构，所述第2导电型阳极区域与所述阳极电极相连接，所述第1导电型阳极区域经由开关与所述阳极电极相连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||