| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括：施加步骤，向半导体衬底(11)的表面(11a)施加粒子射线和辐射射线的至少之一，在半导体衬底上邻近于所述表面(11a)处形成包括栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)的晶体管；以及退火处理步骤，在施加步骤之后，加热所述半导体衬底(11)从而恢复包含在所述栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的晶体缺陷。此外，制造方法包括预退火处理步骤，用于在施加步骤前将包含在栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的氢分子和水分子的含量减小到预定浓度。在由这个方法制造的半导体器件中，将存在于栅极绝缘膜(21)中的热稳定缺陷的浓度减小到预定浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN104067377A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201380006396.4 | 申请日期 | 2013.01.22 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 程炜涛;天野伸治;冈部好文;志贺智英 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：元件形成步骤，所述元件形成步骤在与半导体衬底(11)的表面(11a)邻近处形成包括晶体管的元件，所述晶体管具有栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)；施加步骤，所述施加步骤从与所述表面(11a)邻近的一侧向所述半导体衬底(11)施加粒子射线和辐射射线的至少之一，所述施加步骤在所述元件形成步骤之后；退火处理步骤，所述退火处理步骤加热所述半导体衬底(11)，从而恢复包含在所述栅极绝缘膜(21)和所述栅极电极(22)中的晶体缺陷，所述退火处理步骤在所述施加步骤之后，所述制造方法的特征在于，包括：预退火处理步骤，所述预退火处理步骤加热所述半导体衬底(11)，从而减小包含在所述栅极绝缘膜(21)和所述栅极电极(22)中的氢分子和水分子的含量，所述预退火处理步骤在所述施加步骤之前。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||