薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板

摘要

本发明涉及薄膜制备技术领域，公开了一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板。对于附着力不好的第一金属A薄膜，所述制备方法在形成第一金属A薄膜之前，先形成ABOx薄膜。其中，ABOx薄膜通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体来制得，第二金属B为第二主族的第二周期至第四周期的活泼金属，易与氧结合，被氧化，形成致密的合金氧化物，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。

主权项

一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，在形成所述第一金属A薄膜的步骤之前还包括：形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。