LED的P型外延层、其制作方法及包括其的LED外延片

摘要

本发明公开了一种LED的P型外延层、其制作方法及包括其的LED外延片。其中，P型外延层包括：量子阱保护层，设置于LED中的量子阱层上，量子阱保护层由AlGaN/InGaN超晶格组成；低温P型GaN层，设置于量子阱保护层上；低温电子阻挡层，设置于低温P型GaN层上，低温电子阻挡层由P型AlInGaN组成；高温电子阻挡层，设置于低温电子阻挡层上，高温电子阻挡层由P型AlGaN/P型InGaN超晶格组成；高温P型GaN层，设置于高温电子阻挡层上。该P型外延层的高温生长过程对量子阱层造成的损伤得以减少，且从量子阱层进入p型外延层中电子和p型外延层中空穴发生的非辐射复合得以减少，从而提高了其发光效率。

主权项

一种LED的P型外延层，其特征在于，所述P型外延层包括：量子阱保护层(10)，设置于所述LED中的量子阱层上，所述量子阱保护层(10)由AlGaN/InGaN超晶格组成；低温P型GaN层(20)，设置于所述量子阱保护层(10)上；低温电子阻挡层(30)，设置于所述低温P型GaN层(20)上，所述低温电子阻挡层(30)由P型AlInGaN组成；高温电子阻挡层(40)，设置于所述低温电子阻挡层(30)上，所述高温电子阻挡层(40)由P型AlGaN/P型InGaN超晶格组成；高温P型GaN层(50)，设置于所述高温电子阻挡层(40)上。