| 发明名称 | 导电性高分子蚀刻用墨液及导电性高分子的图案化方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供对导电性高分子具有优异的蚀刻能力、所得到的图案的精度高的导电性高分子蚀刻用墨液、以及使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的导电性高分子的图案化方法。本发明的导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂、及水系介质。另外，本发明的导电性高分子的图案化方法是使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的图案化方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102858915B | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201180018325.7 | 申请日期 | 2011.03.28 |
| 申请人 | 鹤见曹达株式会社;东亚合成株式会社 | 发明人 | 西村康雄;井原孝;田口裕务 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;C09K13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂及水系介质，所述导电性高分子用蚀刻剂为选自(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>Ce(NO<sub>3</sub>)<sub>6</sub>、Ce(SO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>、(NH<sub>4</sub>)<sub>4</sub>Ce(SO<sub>4</sub>)<sub>4</sub>、亚硝酰氯、溴酸化合物、氯酸化合物、高锰酸化合物、6价铬化合物、及次氯酸盐中的化合物，所述增稠剂为单烷基硫酸盐，所述单烷基硫酸盐的含量，相对于墨液的总重量为9～35重量％。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||