一种白光干涉位移传感器中楔形膜及其制作方法

摘要

本发明公开了一种白光干涉位移传感器中楔形膜及其制作方法，该方法用压印技术在普通的光学基底上得到较好的面型，在压印后的基底上镀制反射率为某一值的金属膜，再在金属膜上通过压印技术制作出楔形膜，在楔形膜上表面镀制设计要求的半透半反膜，得到线性楔形膜。本发明这种厚度单调线性变化的楔形膜的制作方法解决了传感器中厚度在5～50微米线性变化的楔形膜的制作难题，为白光干涉位移传感器的研制提供了关键技术。

主权项

一种白光干涉位移传感器中楔形膜的制作方法，其特征在于：该方法的具体实施步骤如下：步骤1、光学基板涂SU8胶，模板涂脱模剂，在厚度为2～3mm光学基板上旋涂SU8胶，胶的厚度约为25μm，前烘65℃，烘烤10分钟，然后升温至95℃，烘烤30～60分钟；面型为1/10波长的光学模板表面涂脱模剂，该波长为632.8nm；步骤2、复制模板面型：将涂有脱模剂的模板压印在涂有SU8胶的光学基板上，施加一定的压力，保证二者完全贴合，放入真空烘箱加热，温度在100～120℃之间，时间2～3小时；步骤3、紫外固化SU8胶：紫外固化模板和基板之间的SU8胶，再次放入烘箱，后烘温度为95～120℃之间，时间为30分钟，烘完后随烘箱冷却至室温；然后坚膜，烘箱温度升至150℃，时间15分钟，烘完随烘箱冷却至室温；步骤4、脱模并去除脱模剂：脱模后，利用辉光放电灰化去除基板上SU8表面的脱模剂；步骤5、镀半透半反膜：利用溅射镀膜机在固化后的SU8表面镀制铬膜，厚度20～25nm之间；步骤6、铬膜表面涂SU8胶，模板涂脱模剂：在铬膜表面上旋涂SU8，厚度约50μm，前烘65℃10分钟，然后升温至100℃，50～70分钟；在面型为1/10波长的光学模板表面涂脱模剂，该波长为632.8nm；步骤7、电镀制作台阶：将一端的SU8胶清洗干净，电镀30～50μm的台阶；步骤8、压印形成楔形：再次将涂有脱模剂的模板压印在SU8表面，施加一定的压力，并放入真空烘箱，温度在100～120℃之间，时间2～3小时，加热过程中保持压力恒定；步骤9、紫外固化SU8胶：紫外固化模板和铬膜之间的SU8胶，再次放入烘箱，后烘温度为95～120℃之间，时间为30分钟；步骤10、脱模并去除脱模剂：脱模后，利用辉光放电灰化去除基板上SU8表面的脱模剂；步骤11、镀金属膜：利用溅射镀膜机镀制金属膜，厚度2～6nm之间；步骤12、楔形膜制作完成。