发明名称 |
一种基于MWCNTs-QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于MWCNTs-QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法,以MWCNTs-QDs纳米复合材料为载体,BSA为模板分子,制备特异性识别BSA的纳米仿生传感器。制备:制备水溶性CdTe/CdS核壳结构量子点和PEI-MWCNTs;然后将CdTe/CdS量子点负载到PEI-MWCNTs表面得到MWCNTs-QDs;以MWCNTs-QDs为基体,利用sol-gel反应在其表面修饰BSA印迹的分子印迹聚合物。本方法采用表面印迹的方式合成的纳米荧光传感器有效识别位点多,且接近表面,比表面积大,易于选择性识别模板分子。 |
申请公布号 |
CN104062275A |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201410293007.7 |
申请日期 |
2014.06.25 |
申请人 |
东华大学 |
发明人 |
朱利民;丁兆强;聂华丽;陶磊 |
分类号 |
G01N21/64(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/64(2006.01)I |
代理机构 |
上海泰能知识产权代理事务所 31233 |
代理人 |
黄志达 |
主权项 |
一种基于MWCNTs‑QDs的纳米荧光仿生传感器,其特征在于:以MWCNTs‑QDs纳米复合材料为载体,BSA为模板分子,制备特异性识别BSA的纳米荧光仿生传感器。 |
地址 |
201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号 |