磁性记忆体、电子系统、记忆体及其提供方法

摘要

磁性记忆体、电子系统、记忆体及其提供方法，记忆体包括多个记忆存储单元，至少之一包括一存储元件有第一端和第二端，第一端耦合到第一电源电压线；一第一二极管及一第二二极管分别包括至少一第一端和一第二端；其中，第一、第二二极管的第一、第二端分别具有第一、第二类型掺杂，第一二极管的第一端耦合到存储元件的第二端，第二端耦合到第二电源电压线，第二二极管的第一端被耦合到第二或第三电源电压线，第二端耦合到存储元件的第二端，第一或第二二极管的第一端或第二端的掺杂是从CMOS的源极或漏极的掺杂植入制造；至少一二极管构建在多晶硅基体上；加电压到第一，第二和/或第三电源电压线，导通第一或第二二极管为一逻辑状态或另一逻辑状态。

主权项

一种记忆体，其特征在于，包括：多个记忆存储单元，至少有一记忆存储单元包括：一存储元件有第一端和第二端，该第一端被耦合到第一电源电压线；一第一二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端有一第二类型掺杂，该第一二极管的该第一端耦合到该存储元件的该第二端；及一第二二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端具有一第二类型掺杂，该第二二极管的该第二端被耦合到该存储元件的该第二端，其中该第一二极管的该第二端被耦合到第二电源电压线；其中该第二二极管的该第一端被耦合到第二电源电压线；其中该第一或第二二极管的该第一端或该第二端的掺杂是从互补式金属氧化物半导体元件的源极或漏极的掺杂植入制造；其中，该第一二极管及该第二二极管是构建在多晶硅基体上；其中，经由施加电压到该第一和/或第二电源电压线，从而导通该第一二极管而切断了该第二二极管到一逻辑状态，或导通该第二二极管而切断了该第一二极管到另一逻辑状态，该存储元件被配置为可编程到不同的逻辑状态；其中该存储元件的编程电压小于两倍的二极管临界电压。