发明名称 |
半导体装置以及应变监视装置 |
摘要 |
一种半导体装置,在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部,该应变仪部具有:长条的金属电阻体,设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧;第1绝缘膜,设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间,延伸至上述半导体基板的上述上表面;以及第2绝缘膜,跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。 |
申请公布号 |
CN104061848A |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201310394835.5 |
申请日期 |
2013.09.03 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
安本恭章;梁濑直子;尾原亮一;增子真吾;佐野贤也;垣内赖人;野田隆夫;饭田敦子 |
分类号 |
G01B7/16(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/16(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐殿军 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具备:基板;半导体基板,载置于上述基板,具有第1区域以及第2区域;绝缘栅场效应晶体管,设置于上述半导体基板的上述第1区域;以及应变仪部,具有长条的金属电阻体、第1绝缘膜以及第2绝缘膜,上述金属电阻体设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧,上述第1绝缘膜设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间,延伸至上述半导体基板的上述上表面,上述第2绝缘膜跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。 |
地址 |
日本东京都 |