发明名称 半导体装置以及应变监视装置
摘要 一种半导体装置,在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部,该应变仪部具有:长条的金属电阻体,设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧;第1绝缘膜,设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间,延伸至上述半导体基板的上述上表面;以及第2绝缘膜,跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。
申请公布号 CN104061848A 申请公布日期 2014.09.24
申请号 CN201310394835.5 申请日期 2013.09.03
申请人 株式会社东芝 发明人 安本恭章;梁濑直子;尾原亮一;增子真吾;佐野贤也;垣内赖人;野田隆夫;饭田敦子
分类号 G01B7/16(2006.01)I 主分类号 G01B7/16(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:基板;半导体基板,载置于上述基板,具有第1区域以及第2区域;绝缘栅场效应晶体管,设置于上述半导体基板的上述第1区域;以及应变仪部,具有长条的金属电阻体、第1绝缘膜以及第2绝缘膜,上述金属电阻体设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧,上述第1绝缘膜设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间,延伸至上述半导体基板的上述上表面,上述第2绝缘膜跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。
地址 日本东京都