一种双面半导体器件的QFN封装结构及方法

摘要

本发明公开了一种双面半导体器件的QFN封装结构，包括芯片及与其对接的框架，所述芯片在其与框架的接触面的侧边缘设有宽槽，在宽槽表面覆盖有玻璃钝化层；所述框架在其与芯片宽槽的内边对应的位置开有一定宽度的溢流槽；芯片和框架通过导电胶粘合，过量的导电胶置于溢流槽中。本发明还公开了一种双面半导体器件的QFN封装方法。本发明在芯片上设置宽槽结构，在框架上设置溢流槽结构，导电胶在溢料时会流入溢流槽，有效的防止了导电胶溢料时的短路问题；本发明的导电胶选择型号为京瓷2815A，在双面半导体器件为功率器件时，也能满足瞬时大电流的特殊工作状态需要。

主权项

一种双面半导体器件的QFN封装结构，包括芯片及与其对接的框架，其特征在于所述芯片在其与框架的接触面的侧边缘设有宽槽，在宽槽表面覆盖有玻璃钝化层；所述框架在其与芯片宽槽的内边对应的位置开有一定宽度的溢流槽；芯片和框架通过导电胶粘合，过量的导电胶置于溢流槽中。