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一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，通过对包括电阻变化型非易失性存储元件的存储器单元施加电压脉冲，从而使所述电阻变化型非易失性存储元件根据所施加的电压脉冲的极性而在第1电阻状态与第2电阻状态之间可逆地变化，所述电阻变化型非易失性存储元件具有第1电极、第2电极和被所述第1电极及所述第2电极夹持的电阻变化层，所述电阻变化层包括：与所述第1电极相接的氧不足型的第1过渡金属氧化物层；以及与所述第2电极相接且具备比所述第1过渡金属氧化物层小的氧不足度的第2过渡金属氧化物层，所述电阻变化型非易失性存储元件具有以下特性：若将所述第1电极及所述第2电极的一方作为基准而向所述第1电极及所述第2电极的另一方施加具备正电位的第1电压脉冲，则向所述第1电阻状态过渡，其中该第1电压脉冲是第1阈值电压以上的电压脉冲；若将所述第1电极及所述第2电极的所述另一方作为基准而向所述第1电极及所述第2电极的所述一方施加具备正电位的第2电压脉冲，则向第2电阻状态过渡，其中该第2电压脉冲是第2阈值电压以上的电压脉冲，所述写入方法包括第1电阻状态化步骤，该第1电阻状态化步骤包括：第1步骤，在使所述电阻变化型非易失性存储元件从所述第2电阻状态向所述第1电阻状态变化时，对所述电阻变化型非易失性存储元件施加电压绝对值比所述第2阈值电压小且极性不同于所述第1电压脉冲的第1电阻化预电压脉冲；以及第2步骤，在该第1步骤之后施加所述第1电压脉冲。 |
