半导体封装件及其制法

摘要

一种半导体封装件，系包括：具有相对之第一与第二表面及侧面的介电层；铜材之线路层，系形成于该介电层之第一表面上，该线路层具有延伸垫；表面处理层，系形成于该线路层上；半导体晶片，系设于该线路层上并电性连接该表面处理层；以及形成于该介电层之第一表面上之封装胶体，系包覆该半导体晶片、线路层及表面处理层，且外露该介电层之第二表面，又该介电层之侧面与该封装胶体之间具有通孔，使该延伸垫位于该通孔中。藉由外露于通孔之延伸垫结合焊球，因铜材与焊锡材料之间的电性连接较佳，故可提升电性连接之品质。本发明复提供该半导体封装件之制法。

主权项

一种半导体封装件，系包括：介电层，系具有相对之第一表面与第二表面、及相邻该第一表面与第二表面之侧面；铜材之线路层，系形成于该介电层之第一表面上；表面处理层，系形成于该线路层上；半导体晶片，系设于该线路层上方并电性连接该线路层与表面处理层；以及封装胶体，系形成于该介电层之第一表面与侧面上以包覆该半导体晶片、线路层及表面处理层，且外露该介电层之第二表面，又该介电层之侧面与该封装胶体之间具有通孔，使部分该表面处理层位于该通孔中，且该线路层外露于该通孔。