唯读记忆体及其制造方法

摘要

一种唯读记忆体，包括基底、源极区与汲极区、电荷储存结构、闸极和局部极端掺杂区。上述源极区与汲极区设置于基底中、电荷储存结构位于源极区与汲极区之间的基底上、闸极则设置于电荷储存结构上。至于局部极端掺杂区是位于源极区与汲极区之间的基底内，且所述局部极端掺杂区包括一低掺杂浓度区以及至少一高掺杂浓度区。高掺杂浓度区设置于源极区与汲极区中之一与低掺杂浓度区之间，其中高掺杂浓度区的掺杂浓度要比低掺杂浓度区的掺杂浓度高3倍以上。

主权项

一种唯读记忆体，包括：一基底；一源极区与一汲极区，设置于该基底中；一电荷储存结构，位于该源极区与该汲极区之间的该基底上；一闸极，设置于该电荷储存结构上；以及一局部极端掺杂区，位于该源极区与该汲极区之间的该基底内，且该局部极端掺杂区包括：一低掺杂浓度区，其边缘和该源极区或该汲极区之间的距离小于150；以及至少一高掺杂浓度区，设置于该源极区与该汲极区中之一与该低掺杂浓度区之间，其中该至少一高掺杂浓度区的掺杂浓度要比该低掺杂浓度区的掺杂浓度高3倍以上，且该至少一高掺杂浓度区与该低掺杂浓度区为同一导电态。