发明名称 |
高纯度矽纯化制程杂质去除装置 |
摘要 |
本发明提供一种高纯度矽纯化制程杂质去除装置,主要透过将以往所使用生产纯化矽的设备加以改造,而将以往作为高温源使用的电浆或/及电气火花产生源当成注入装置使用,除了供应所述高温电浆火焰或电气火花外,同时将一种液体水或/及气体蒸气或其混合物质,以及氢气、氧气或其混合体等水性物质,以各种形态方式朝向坩埚中熔融矽内注入。又,为有效果且具效率地注入并避免熔融矽飞散等不良影响,在高温产生源上亦可附加各种具功能性的导引装置为本发明的主要特征。 |
申请公布号 |
TWI453309 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW100138936 |
申请日期 |
2011.10.26 |
申请人 |
星野政宏 日本;高 政治 美国 |
发明人 |
星野政宏;高 政治 |
分类号 |
C30B29/06 |
主分类号 |
C30B29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
张秋卿 台北市松山区民生东路3段131号5楼501室 |
主权项 |
一种高纯度矽纯化制程杂质去除装置,针对现有的矽纯化装置结构加以改造,而在盛有熔融矽坩埚上方设置注入装置,该注入装置为一可同时供应高温、高速电浆或/及电气火花流等高温源纯化气体,以及液体水或/及气体蒸气或其混合物质,及氢气、氧气或其混合体等水性物质的装置,而将所产生的液体水或/及构成气体或/及纯化功能气体吸引、注入于该盛有熔融矽的坩埚内,且该注入装置下附加一引导装置,而在该引导装置上设有压力自动调整机构。 |
地址 |
美国 |