发明名称 级联的高压结型场效应电晶体装置及其制备方法
摘要 一种级联的结型场电晶体(JFET)器件,包括一个级联到二级低压JFET的一级高压JFET,其中一级和二级JFET的其中之一连接到另一个JFET级的漏极电极上。
申请公布号 TWI453911 申请公布日期 2014.09.21
申请号 TW100131610 申请日期 2011.09.02
申请人 万国半导体股份有限公司 美国 发明人 秀明土子
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项 一种级联结型场效应电晶体(JFET)装置,其特征在于,包括:一一级JFET,其级联到一二级JFET;该一级JFET为一高压JFET,该二级JFET为一低压JFET;配置该高压JFET的夹断电压高于该低压JFET的夹断电压,并且该高压JFET的夹断电压的变化更大;该高压JFET将减小后的电压输送至该低压JFET,因此该级联JFET装置的夹断电压,由夹断电压较低以及夹断电压变化较小的该低压JFET所决定。
地址 美国