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发明名称
级联的高压结型场效应电晶体装置及其制备方法
摘要
一种级联的结型场电晶体(JFET)器件,包括一个级联到二级低压JFET的一级高压JFET,其中一级和二级JFET的其中之一连接到另一个JFET级的漏极电极上。
申请公布号
TWI453911
申请公布日期
2014.09.21
申请号
TW100131610
申请日期
2011.09.02
申请人
万国半导体股份有限公司 美国
发明人
秀明土子
分类号
H01L29/772
主分类号
H01L29/772
代理机构
代理人
蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
一种级联结型场效应电晶体(JFET)装置,其特征在于,包括:一一级JFET,其级联到一二级JFET;该一级JFET为一高压JFET,该二级JFET为一低压JFET;配置该高压JFET的夹断电压高于该低压JFET的夹断电压,并且该高压JFET的夹断电压的变化更大;该高压JFET将减小后的电压输送至该低压JFET,因此该级联JFET装置的夹断电压,由夹断电压较低以及夹断电压变化较小的该低压JFET所决定。
地址
美国
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