半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括在半导体基底之第一表面形成至少一柱电极，其中每一柱电极包括两个以上柱状物之阵列，柱电极电性连接至半导体基底之线路层，沉积缓冲层于第一表面上，缓冲层密封阵列，移除部份的缓冲层及部分的柱电极，而使柱电极之上表面低于残余之缓冲层之上表面，沉积导电覆盖层于柱电极之上表面上，其中导电覆盖层低于残余之缓冲层之上表面，以及放置焊球于导电覆盖层上，其中焊球与导电覆盖层之间的焊接点低于残余之缓冲层之上表面。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：在一半导体基底之第一表面形成至少一柱电极，其中每一柱电极包括一两个以上柱状物之阵列，该柱电极电性连接至该半导体基底之线路层；沉积一缓冲层于该第一表面上，该缓冲层密封该阵列；移除部份的该缓冲层，而使该柱电极之上表面低于残余之该缓冲层之上表面；沉积一导电覆盖层于该柱电极之上表面上，其中该导电覆盖层低于残余之该缓冲层之上表面；以及放置一焊球于该导电覆盖层上，其中该焊球与该导电覆盖层之间的焊接点低于残余之该缓冲层之上表面，且该焊球系设置于该至少一柱电极之间的一区域之外。