ＧａＮ基板之保存方法、经保存基板与半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种可制造具良好特性的半导体元件之GaN基板之保存方法、保存之基板与半导体元件及其制造方法。;本GaN基板之保存方法系在氧浓度为18体积%、及/或水蒸气浓度为12 g/m3以下之环境下保存GaN基板1。此处，可使GaN基板之第1主面之表面粗糙度Ra为20 nm以下，第2主面之表面粗糙度Ra为20 μm以下。此外，GaN基板之主面与(0001)面所形成之偏移角于<1－100>方向上可为0.05°以上、2°以下，于<11－20>方向上可为0°以上、1°以下。

主权项

一种GaN基板之保存方法，其包含以下步骤：准备第1主面之表面粗糙度Ra为20nm以下、第2主面之表面粗糙度Ra为20μm以下之GaN基板；及在氧浓度为0.6体积%以上18体积%以下、及水蒸气浓度为1g/m3以上25g/m3以下之含水蒸气之惰性气体与氧气之混合气体之环境下保存前述GaN基板。