基板处理装置、基板处理条件检讨方法

摘要

本发明系提供不需要检讨基板处理条件的时间之基板处理装置。;在基板处理装置10，对1批份的晶圆W施行RIE(反应性离子蚀刻)处理期间，进行条件检讨时，系统控制器EC89设定条件A，当作对1批份的晶圆W施行的RIE处理之条件，且使第1处理单元25的条件缓冲功能无效(步骤801)，对晶圆W执行配合条件A之RIE处理(步骤803)，条件A不适合当作RIE处理条件时(在步骤805为NO)，配合条件A之修正输入而修正条件A，且在第1处理单元25展开该修正后的条件A(步骤808)，对下一晶圆W执行配合修正后的条件A之RIE处理。

主权项

一种基板处理装置，具备：基板处理单元，系对基板施行处理；及禁止部，系于对预定片数的基板施行前述处理期间，禁止前述处理的处理条件变更；其特征为：具备：解除部，系于前述预定片数的基板处理期间，解除禁止前述处理条件变更；及修正部，系修正前述处理条件；具备搬入禁止部，系禁止对前述基板处理单元搬入前述基板，前述修正部系于禁止对前述基板处理单元搬入前述基板时，修正前述处理条件。