发明名称 控制装置、试验装置及控制方法
摘要 本发明可有效率地选择补救记忆体区块。本发明提供一种控制装置,系用以控制被试验记忆体的试验之控制装置,该被试验记忆体,系分别具有一个以上的可分别总括置换列方向及栏方向的记忆体区块之列方向及栏方向的修复用记忆体区块,该控制装置包括:计数部,其自依序试验被试验记忆体并依序输出表示试验对象区块的良否之试验结果之试验部,接收试验结果,并依序计数出每个列或栏方向的一方的记忆体区块当中,另一方的记忆体区块中所含的被判定为不良的记忆体区块的数量亦即不良记忆体区块数;选择部,其仅以被试验记忆体所具有的另一方的修复用记忆体区块的数量以下的数量,来选择不良记忆体区块数被计数了超过基准值之记忆体区块;以及试验控制部,其对所选择的记忆体区块中所含的试验对象区块进行屏蔽,并使试验部进一步对被试验记忆体进行试验。
申请公布号 TWI453752 申请公布日期 2014.09.21
申请号 TW099106651 申请日期 2010.03.08
申请人 爱德万测试股份有限公司 日本 发明人 太幡诚
分类号 G11C29/44 主分类号 G11C29/44
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种控制装置,系用以控制被试验记忆体的试验之控制装置,该被试验记忆体系具有:以列及栏来定址的复数个记忆体单元;以及分别具有一个以上的以能够总括置换列方向的记忆体区块之方式来设置的列方向的修复用记忆体区块、及以能够总括置换栏方向的记忆体区块之方式来设置的栏方向的修复用记忆体区块;其中,该控制装置系包括:第一计数部,其自用以试验前述被试验记忆体之试验部,依序接收分别表示前述被试验记忆体所具有的复数个试验对象区块是否为不良之试验结果,并依序计数出在每个前述列方向或每个前述栏方向的一方的记忆体区块当中,前述列方向或前述栏方向的另一方的记忆体区块中所含的被判定为不良的记忆体区块的数量亦即不良记忆体区块数;选择部,在藉由前述试验部来对前述复数个试验对象区块进行试验之场合,则仅以前述被试验记忆体所具有的前述一方的修复用记忆体区块的数量以下的数量,来选择前述一方的记忆体区块当中,前述不良记忆体区块数的计数是超过基准值之记忆体区块,以作为应以前述一方的修复用记忆体区块来补救的记忆体区块;试验控制部,其对前述选择部所选择的记忆体区块中所含的试验对象区块进行屏蔽,并使前述试验部对前述被试验记忆体,依序分别试验前述复数个试验对象区块中的每个区块,且依序输出分别表示各个试验对象区块是否为不良之试验结果;以及判定部,其自对于已由前述试验控制部加以前述屏蔽后的前述被试验记忆体进行试验之前述试验部,依序接收前述试验结果,并依序判定在前述另一方的每个记忆体区块中,有无被判定为不良的试验对象区块,且选择具有被判定为不良的试验对象区块之前述另一方的记忆体区块,来作为应以前述另一方的修复用记忆体区块来进行补救的记忆体区块。
地址 日本