发明名称 透明导电膜及透明导电膜之制造方法
摘要 本发明提供一种ZnO系透明导电膜及其制造方法,该ZnO系透明导电膜具备可实际应用之耐湿性、作为透明导电膜所必需之特性,且经济性优异。于以ZnO作为主要成分之透明导电膜(ZnO膜)中,形成具备ZnO膜具有粒状结晶结构之区域的构成。于ZnO膜中掺杂III族元素。又,将III族元素之掺杂量设为以氧化物质量换算为0.8~11.5重量%。又,将III族元素设为选自由Ga、Al及In所组成之群中的至少1种。将ZnO(002)摇摆曲线之半宽度设为10.5°以下。于基体上使ZnO膜成膜之期间,使基体静止。对于靶材,一面供给DC脉冲电源一面进行氧化锌膜之成膜。
申请公布号 TWI453766 申请公布日期 2014.09.21
申请号 TW097131963 申请日期 2008.08.21
申请人 村田制作所股份有限公司 日本 发明人 深堀奏子;岸本谕卓
分类号 H01B5/14;H01B1/08;C23C14/08;C23C14/34 主分类号 H01B5/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种透明导电膜,其特征在于:其系使氧化锌(ZnO)膜成长于基体上而成者,上述氧化锌膜具备具有粒状结晶结构之区域,其中在上述氧化锌膜中掺杂有III族元素,上述III族元素之掺杂量以氧化物质量换算为0.8~11.5重量%,上述III族元素系选自由Ga、Al及In所组成之群中的至少1种。
地址 日本