发明名称 |
透明导电膜及透明导电膜之制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种ZnO系透明导电膜及其制造方法,该ZnO系透明导电膜具备可实际应用之耐湿性、作为透明导电膜所必需之特性,且经济性优异。于以ZnO作为主要成分之透明导电膜(ZnO膜)中,形成具备ZnO膜具有粒状结晶结构之区域的构成。于ZnO膜中掺杂III族元素。又,将III族元素之掺杂量设为以氧化物质量换算为0.8~11.5重量%。又,将III族元素设为选自由Ga、Al及In所组成之群中的至少1种。将ZnO(002)摇摆曲线之半宽度设为10.5°以下。于基体上使ZnO膜成膜之期间,使基体静止。对于靶材,一面供给DC脉冲电源一面进行氧化锌膜之成膜。 |
申请公布号 |
TWI453766 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW097131963 |
申请日期 |
2008.08.21 |
申请人 |
村田制作所股份有限公司 日本 |
发明人 |
深堀奏子;岸本谕卓 |
分类号 |
H01B5/14;H01B1/08;C23C14/08;C23C14/34 |
主分类号 |
H01B5/14 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种透明导电膜,其特征在于:其系使氧化锌(ZnO)膜成长于基体上而成者,上述氧化锌膜具备具有粒状结晶结构之区域,其中在上述氧化锌膜中掺杂有III族元素,上述III族元素之掺杂量以氧化物质量换算为0.8~11.5重量%,上述III族元素系选自由Ga、Al及In所组成之群中的至少1种。 |
地址 |
日本 |