| 发明名称 |
Ｓｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜之成膜方法及记忆媒体 |
| 摘要 |
本发明之Sr-Ti-O系膜之成膜方法系包含有：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，将气体状的Ti原料、气体状的Sr原料、及气体状的氧化剂导入至前述处理容器内而在Ru膜上形成厚度10nm以下的第1Sr-Ti-O系膜；将第1Sr-Ti-O系膜进行退火而使其结晶化；在第1Sr-Ti-O系膜之上，将气体状的Ti原料、气体状的Sr原料、及气体状的氧化剂导入至处理容器内而在其上形成第2Sr-Ti-O系膜；及将第2Sr-Ti-O系膜进行退火而使其结晶化。 |
| 申请公布号 |
TWI453824 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
| 申请号 |
TW098105287 |
申请日期 |
2009.02.19 |
| 申请人 |
东京威力科创股份有限公司 日本;尔必达存储器股份有限公司 日本 |
发明人 |
河野有美子;有马进;柿本明修;广田俊幸;清村贵利 |
| 分类号 |
H01L21/316;C23C16/40;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种Sr-Ti-O系膜之成膜方法，其特征为包含有：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，将气体状的Ti原料、气体状的Sr原料、及气体状的氧化剂导入至前述处理容器内而在Ru膜上形成厚度10nm以下的第1Sr-Ti-O系膜；将前述第1Sr-Ti-O系膜进行退火而使其结晶化；在形成前述第1Sr-Ti-O系膜后，将气体状的Ti原料、气体状的Sr原料、及气体状的氧化剂导入至前述处理容器内而在其上形成第2Sr-Ti-O系膜；及将前述第2Sr-Ti-O系膜进行退火而使其结晶化，另外包含有：在将前述第2Sr-Ti-O系膜进行退火之后，形成实质上未结晶化的第3Sr-Ti-O系膜，前述第3Sr-Ti-O系膜系以使膜中之Sr与Ti的比率Sr/Ti以原子数比小于1的方式进行成膜。 |
| 地址 |
日本 |
