半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置的制造方法，该方法防止杂质进入SOI基板。激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子，并且将这些离子添加到接合基板，由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后，透过蚀刻、抛光等，除去接合基板的表面上和其附近的区域，即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来，在将接合基板黏贴到底部基板之后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后，利用该半导体膜形成半导体元件。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包含：透过向一半导体基板添加离子，以在该半导体基板中形成一易碎层；除去该半导体基板的一区域，该区域的范围是从比该易碎层浅的位置到该半导体基板的表面；以及将该半导体基板黏贴到一底部基板，然后，在该易碎层上分离该半导体基板，以在该底部基板上形成一半导体膜。