具有经控制之湿润度之化学机械研磨垫

摘要

本发明提供化学机械研磨垫，其中该化学机械研磨垫具有包含研磨纹理的研磨层，该研磨纹理展现出在0.01与0.75之间的无因次粗糙度(dimensionless roughness)R。本发明也提供制造该化学机械研磨垫的方法及使用该化学机械研磨垫研磨基材的方法。

主权项

一种用于研磨选自磁性基材、光学基材和半导体基材中之至少一种基材的化学机械研磨垫；其包括：研磨层，其包含复数个形成具有研磨纹理之三维网状化网络的研磨元件；其中，该三维网状化网络系多个互连之研磨元件之互连网络，该研磨元件包括水平元件(204)及垂直元件(208)，其中各该研磨元件具有平均宽度(210)和平均接触面积(222)，其中该研磨元件系以平均间距(218)相隔开，其中该互连网络具有平均高度(214)和平均半高度(215)，该垂直元件(208)的平均高度(214)对平均宽度(210)比为至少0.5，其中该互连之研磨元件(204和208)组合成一组六面体单位格子(225)，其中该六面体单位格子具有平均宽度(227)和平均长度(229)，其中各六面体单位格子具有六个面及中央空间单元，其中各面为具有中央及四个边缘的正方形或长方形，其中各边系对应至研磨元件(204或208)，其中各面之该中央及该中央空间单元为空的，其中该六面体单位格子具有组合成三维网络之网状化结构，其中该研磨层包括具有至少三个六面体单位格子之平均厚度的互连网络，其中该六面体单位格子的平均宽度(227)系等于或小于该等六面体单位格子的平均长度(229)，其中该研磨纹理包括在研磨元件(208)之子集上的复数个接触区；其中该研磨元件(208)之该子集系由在该研磨层之研磨表面具有接触区(222)之该研磨元件(208)所组成，其中该研磨纹理具有由下述方程式所定义之平均无因次粗糙度R：R=(1-C)/(1+N)式中，C为该研磨元件(208)之子集之该平均接触面积(222)对该研磨元件(208)之子集之平均水平投影面积的比例，且N为该研磨元件(208)之子集之平均非接触面积对该平均水平投影面积的比例；其中该研磨纹理之平均无因次粗糙度系在0.01与0.75之间；以及其中将该研磨纹理调整成适用于研磨该基材。