半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种可提升半导体晶片之凸块电极与安装基板之布线之连接可靠性之技术。尤其是提供一种即使在凸块电极下之最上层布线层配置布线，亦可确保凸块电极之平坦性而提升凸块电极与形成于玻璃基板之布线之连接可靠性之技术。在位于凸块电极BP1之非重叠区域Y正下方之最上层布线层形成由电源布线或信号布线所组成之布线L1及虚设图案DP。虚设图案DP系以填埋布线L1间之空间之方式配置，且藉由布线L1与空间而缓和在最上层布线层所产生之凹凸。再者，对于以覆盖最上层布线层之方式形成之表面保护膜实施藉由CMP法之平坦化处理。

主权项

一种半导体装置，其特征为包含：(a)半导体基板；(b)半导体元件，其形成于前述半导体基板上；(c)第1布线，其形成于前述半导体元件上；(d)第1绝缘膜，其形成于前述半导体基板上，用以覆盖前述半导体元件及前述第1布线；(e)焊垫，其形成于前述第1绝缘膜上；(f)第2绝缘膜，其具有一部分形成于前述焊垫上，且具有达到前述焊垫之开口；及(g)凸块电极，其形成于前述第2绝缘膜上，且藉由前述开口与前述焊垫电性连接；其中，与前述焊垫同层形成有第2布线及不同于前述第2布线之虚设(dummy)图案，前述第2布线及前述虚设图案之各部分系配置于前述凸块电极下，前述虚设图案之长边侧系在平面图上于横越前述第2布线之长边方向之方向上延伸。